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BAY135-TAP

Small Signal Switching Diode, High Voltage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BAY135-TAP

Package：DO-204AH，DO-35，軸向；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BAY135-TR

SmallSignalSwitchingDiode,HighVoltage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BB135

UHFVariableCapacitanceDiode

DESCRIPTION TheBB135isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Thematchedtype,BB134hasthesamespecification. FEATURES ?Excellentlinearity ?VerysmallplasticSMDpackage. ?C28:1.9pF;ratio:10

LRCLeshan Radio Company

樂(lè)山無(wú)線電樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司

BB135

UHFvariablecapacitancediode

DESCRIPTION TheBB135isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Thematchedtype,BB134hasthesamespecification. FEATURES ?Excellentlinearity ?VerysmallplasticSMDpackage. ?C28:1.9pF;ratio:10

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BB135

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BCR135

NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit)

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BCR135

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR135

NPNSiliconDigitalTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR135F

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BAY135-TAP

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    200mA

  • 速度：

    小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容：

    5pF @ 0V，1MHz

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    DO-204AH，DO-35，軸向

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DO-35（DO-204AH）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    175°C（最大）

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY/威世
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更多BAY135-TAP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-25 14:06:00

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