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BTS131

TEMPFET(NchannelLogiclevelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)

Features ●Nchannel ●Logiclevel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BTS131

TEMPFET(NchannelLogiclevelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)

Features ●Nchannel ●Logiclevel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BTS131

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.06Ω(Max)@VGS=4.5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUS131

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ?HighSwitchingSpeed ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUS131 500V(Min)-BUS131A APPLICATIONS ?Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsin inductivecircuits.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUS131A

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?HighSwitchingSpeed ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUS131 500V(Min)-BUS131A APPLICATIONS ?Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsin inductivecircuits.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUS131H

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?HighSwitchingSpeed ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min) APPLICATIONS ?Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsin inductivecircuits.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUT131

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUT131 500V(Min)-BUT131A ·HighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforuseinconverters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystemsetc.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUT131A

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUT131 500V(Min)-BUT131A ·HighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforuseinconverters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystemsetc.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUT131H

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min) ·HighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforuseinconverters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystemsetc.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUW131

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·HighSwitchingSpeed ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUW131 500V(Min)-BUW131A APPLICATIONS ·Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsininductivecircuits.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BC131(B,C)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    通用型 （Uni）_低噪放大 （ra）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    0.2A

  • 最大工作頻率：

    300MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BC109,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC549,BC584,3DG120D,

  • 最大耗散功率：

    0.135W

  • 放大倍數(shù)：

    β=900

  • 圖片代號：

    C-62

  • vtest：

    30

  • htest：

    300000000

  • atest：

    0.2

  • wtest：

    0.135

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