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BC2303

Marking：2303；Package：SOT-23；Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATIONS LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BC2305

Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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BC2306

Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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BC2306-CAR

N-Channel 30-V(D-S) MOSFET

FEATURES ●PowerMOSFET ●100RgTested ●-CARforautomotiveandotherapplicationsrequiringuniquesiteand controlchangerequirements;AEC-Q101qualifiedandPPAPcapable.

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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BC2307

Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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BC2309A

Plastic-Encapsulate MOSFETS

DESCRIPTION TheBC2309AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch. DS(on)

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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BC2310

Marking：2310；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET

DESCRIPTION TheBC2310usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR. lowgatechargeandoperationwithgatevoltageaslowas2.5V. Thisdeviceissuitableforuseasabatteryprotectionorinotherswitchingapplication. DS(ON) FEATURE ?Highpowerandcurrenthandingcapabi

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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BC2310-CAR

Marking：2310；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET

DESCRIPTION TheBC2310usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR. lowgatechargeandoperationwithgatevoltageaslowas2.5V. Thisdeviceissuitableforuseasabatteryprotectionorinotherswitchingapplication. DS(ON) FEATURE ?Highpowerandcurrenthandingcapabi

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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BC2312

Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION DC/DCConverters LoadSwitchingforPortableApplications

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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BC2321

Plastic-Encapsulate MOSFETS

APPLICATION PASwitch LoadSwitch FEATURE TrenchFETPowerMOSFET

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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晶體管資料

  • 型號：

    BC200(RT,GE,GN)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    微型 （Min）_低頻或音頻放大 （LF）_低噪放大 （ra

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    20V

  • 最大電流允許值：

    0.05A

  • 最大工作頻率：

    90MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BC196,BC202,BCW99,3CK1A,

  • 最大耗散功率：

    0.05W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-20

  • vtest：

    20

  • htest：

    90000000

  • atest：

    0.05

  • wtest：

    0.05

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BC2

  • 制造商：

    MICRO-ELECTRONICS

  • 制造商全稱：

    Micro Electronics

  • 功能描述：

    MINIATURE PNP AF LOW NOISE SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

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