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For AF input stages and driver applications NPNSiliconAFTransistors ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes:BC857...-BC860...(PNP) ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualifiedaccordingAECQ1011) | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. PNPcomplements:BC856F,BC857FandBC858Fseries. FEATURES ?PowerdissipationcomparabletoSOT23 ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitching | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
Small Signal Transistor Features -PowerdissipationPCM:0.20W(@TA=25°C) -CollectorcurrentICM:0.1A -Collector-basevoltageVCBO:BC846=80VBC847=50VBC848=30V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:TJ,TSTG=-65to+150°C | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 | COMCHIP | ||
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN SILICON DESCRIPTION The BC846AL/BLA847848AL/CLare availableinSOT23package. FEATURES ?Highcurrentgain ?ExcellenthFElinearity ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?AvailableinSOT23package APPLICATIONS ?Ge | AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技 | AITSEMI | ||
CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
General Purpose Transistors(NPN Silicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon | LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司 | LRC | ||
General Purpose Transistors(NPN Silicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating ?HumanBodyModel:>4000V ?MachineModel:>400V | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
General Purpose Transistors(NPN Silicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating ?HumanBodyModel:>4000V ?MachineModel:>400V | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:>4000V ESDRating?MachineModel:>400V ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:>4000V ESDRating?MachineModel:>400V ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_通用型 （Uni）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
30MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BCW71,BCW72,BCW81,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-15
- vtest：
50
- htest：
30000000
- atest：
0.1
- wtest：
0
詳細參數(shù)
- 型號：
BC847
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT Gen Pur Trans NPN,0.1A,45V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ/長晶 |
24+ |
SOT-23 |
45000 |
長晶全系列二三極管原裝優(yōu)勢供應(yīng),歡迎詢價 |
詢價 | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT23 |
21524 |
原裝正品,現(xiàn)貨庫存,1小時內(nèi)發(fā)貨 |
詢價 | ||
原裝 |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn) |
45664 |
熱賣原裝進口 |
詢價 | ||
215 |
4827000 |
15+ |
0 |
原廠原裝 |
詢價 | ||
CJ/長電科技 |
2019+ |
SOT23 |
36000 |
原盒原包裝 可BOM配套 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
24+ |
SO23-3 |
3580 |
原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗歡迎詢價 |
詢價 | ||
NEXPERIA |
21+20 |
SOT23 |
120000 |
全新原裝公司現(xiàn)貨
|
詢價 | ||
Nexperia/安世 |
21+ |
SOT-23 |
58900 |
十年信譽,只做原裝,有掛就有現(xiàn)貨! |
詢價 | ||
南芯 |
22+ |
SOT23 |
900000 |
公司自主品牌二三極管，價優(yōu)！ |
詢價 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
N/A |
12000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 |
