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BC847BE6327HTSA1

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 45V 0.1A SOT23

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847BE6433HTMA1

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847BF

NPNgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION NPNtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. PNPcomplements:BC856F,BC857FandBC858Fseries. FEATURES ?PowerdissipationcomparabletoSOT23 ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitching

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC847BF

NPNSiliconAFTransistors

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847BFA

45VNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR

Features ?BVCEO>45V ?IC=100mAHighCollectorCurrent ?PD=435mWPowerDissipation ?0.48mm2PackageFootprint,16timessmallerthanSOT23 ?0.4mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile ?ComplementaryPNPTypeBC857BFA ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&a

DIODES

Diodes Incorporated

BC847BFAQ

45VNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR

Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features ?BVCEO>45V ?IC=100mAHighCollectorCurrent ?PD=435mWPowerDissipation ?0.48mm2PackageFootprint,16TimesSmallerthanSOT23 ?0.4mmHeightPac

DIODES

Diodes Incorporated

BC847BFZ

45VNPNSMALLSIGNALTRANSISTORINDFN0606

Features BVCEO>45V IC=100mAHighCollectorCurrent PD=925mWPowerDissipation 0.36mm2PackageFootprint,40SmallerthanDFN1006 0.4mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile ComplementaryPNPTypeBC857BZ TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimon

DIODES

Diodes Incorporated

BC847B-G

SmallSignalTransistor

Features -PowerdissipationPCM:0.20W(@TA=25°C) -CollectorcurrentICM:0.1A -Collector-basevoltageVCBO:BC846=80VBC847=50VBC848=30V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:TJ,TSTG=-65to+150°C

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

BC847BHZG

NPNGeneralpurposetransistor

Features 1)BVCEO>45V(IC=1mA) 2)ComplementstheBC857BHZG. Application AUDIOFREQUENCYSMALLSIGNALAMPLIFIER

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

BC847BL

GENERALPURPOSETRANSISTORSNPNSILICON

DESCRIPTION The BC846AL/BLA847848AL/CLare availableinSOT23package. FEATURES ?Highcurrentgain ?ExcellenthFElinearity ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?AvailableinSOT23package APPLICATIONS ?Ge

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BC847BE6327HTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    15nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    250MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-SOT23

  • 描述：

    TRANS NPN 45V 0.1A SOT23

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多BC847BE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-21 13:00:00

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