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SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION ■FEATURES *Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits. *ComplementtoBC856…BC860 | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC | ||
NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. PNPcomplements:BC856F,BC857FandBC858Fseries. FEATURES ?PowerdissipationcomparabletoSOT23 ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitching | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
Small Signal Transistor Features -PowerdissipationPCM:0.20W(@TA=25°C) -CollectorcurrentICM:0.1A -Collector-basevoltageVCBO:BC846=80VBC847=50VBC848=30V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:TJ,TSTG=-65to+150°C | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 | COMCHIP | ||
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN SILICON DESCRIPTION The BC846AL/BLA847848AL/CLare availableinSOT23package. FEATURES ?Highcurrentgain ?ExcellenthFElinearity ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?AvailableinSOT23package APPLICATIONS ?Ge | AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技 | AITSEMI | ||
CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
General Purpose Transistors(NPN Silicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating ?HumanBodyModel:>4000V ?MachineModel:>400V | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
General Purpose Transistors(NPN Silicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon | LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司 | LRC | ||
General Purpose Transistors(NPN Silicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating ?HumanBodyModel:>4000V ?MachineModel:>400V | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:>4000V ESDRating?MachineModel:>400V ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:>4000V ESDRating?MachineModel:>400V ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_通用型 （Uni）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
30MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BCW31,BCW32,BCW33,BCW71,BCW72,BCW81,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-15
- vtest：
30
- htest：
30000000
- atest：
0.1
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BC848
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT Ep Trans NPN,0.1A,30V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT-23 |
163000 |
一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
CJ/長(zhǎng)晶 |
24+ |
SOT-23 |
30000 |
長(zhǎng)晶全系列二三極管原裝優(yōu)勢(shì)供應(yīng),歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
NXP |
24+ |
SOD123 |
66500 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NA |
SOT |
3000 |
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談 |
詢價(jià) | |||
NXP恩智浦/PHILIPS飛利浦 |
24+ |
SOT-23 |
6950 |
新進(jìn)庫(kù)存/原裝 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
24+ |
SOT-23 |
3600 |
絕對(duì)原裝!現(xiàn)貨熱賣! |
詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
SOT23 |
7500 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
ANPEC |
23+ |
XX |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
24+ |
SOT-23 |
24510 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
NXP/PHILIPS |
24+ |
SOT-23SC-59 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
