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BC849BLT3G

General Purpose Transistors

GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:>4000V ESDRating?MachineModel:>400V ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 Q

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

BC849BMTF

Marking：8DB；Package：SOT-23；NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC849,BC850 ?ComplementtoBC856...BC860

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

BC849BT

NPN Silicon AF Transistors

NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC849BW

NPN general purpose transistors

DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC849BW

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

Diotec

Diotec Semiconductor

BC849BW

NPN Silicon AF Transistors

NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC849BW

NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

FEATURES ?Generalpurposeamplifierapplications ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?CollectorcurrentIC=100mA ?BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

BC849BW

Marking：2B*；Package：SOT-323；NPN general purpose transistors

DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BC849BW

NPN Transistor

FEATURES -Lowreversecurrent,highreliability -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

BC849BW

Marking：2B；Package：SOT323；NPN general purpose transistors

FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V).

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BC849

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低噪放大 （ra）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    30MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BCF32,BCF33,BCF81,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    30

  • htest：

    30000000

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BC849

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
SOT23/
2145
全新原裝進口自己庫存優(yōu)勢
 詢價
MOTO
23+
SOT-23
31000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
NXP
24+
SOT23
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
GE
23+
NA
39960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
ST
17+
SOT23/
9988
只做原裝進口,自己庫存
 詢價
ST
23+
SOT23
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
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PH
15+
SOT-23
6698
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原裝正品
24+
NA
66300
一級代理/全新原裝現(xiàn)貨/長期供應!
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NXP/恩智浦
2022+
NA
200
原廠代理 終端免費提供樣品
 詢價
PHILIPS/飛利浦
22+
SOT-23
8000
原裝正品支持實單
 詢價
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