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BC856AWG

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

BC856AW-G

SmallSignalTransistor

Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -ForSwitchingandAFAmplifierApplications -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:-0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC856W=-80V BC857W=-50V BC858W=-30V -Operatingand

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

BC856AW-Q

65V,100mAPNPgeneral-purposetransistors

1.Generaldescription PNPgeneral-purposetransistorsinaverysmallSOT323(SC-70),Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. Table1.Productoverview TypenumberPackage NexperiaJEDEC NPNcomplement BC856W-QBC846W-Q BC856AW-QBC846AW-Q BC856BW-QBC846BW-Q BC857W-QBC847W-Q BC

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BC856B

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagin

Diotec

Diotec Semiconductor

BC856B

SwitchingandAmplifierApplications

Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC859,BC860 ?ComplementtoBC846...BC850

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

BC856B

PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR

Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ComplementaryNPNTypes:BC846–BC848 ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforH

DIODES

Diodes Incorporated

BC856B

PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR

TRSYS

Transys Electronics

BC856B

PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)

Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BC856B

PNPgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC846andBC847. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC856B

GeneralPurposeTransistorPNPSilicon

GeneralPurposeTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BC856AW RF

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

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更多BC856AW RF供應商 更新時間2025-3-16 9:12:00

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