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BC856BDW1T1_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 100mA 80V Dual PNP廊盛科技2部

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    BC856BDW1T1

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    80000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-363

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2022

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-16 9:10:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào)：BC856BDW1T1品牌：ON/安森美

原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢(xún)

  • 芯片型號(hào)：

    BC856BDW1T1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大小：

    106.29 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual General Purpose Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    BC856BDW1T1

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 100mA 80V Dual PNP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳廊盛科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    18229386512

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    18229386512

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道上步工業(yè)區(qū)501棟410室

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