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BC856BQC-Q分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BC856BQC-Q |
參數屬性 | BC856BQC-Q 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3 |
功能描述 | 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistor |
封裝外殼 | 3-XDFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
249.37 Kbytes |
頁面數量 |
12 頁 |
生產廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導體(中國)有限公司官網 |
原廠標識 | ![]() |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-5-24 15:22:00 |
人工找貨 | BC856BQC-Q價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
BC856BQC-Q規(guī)格書詳情
Features and benefits
? High power dissipation capability
? High voltage (max. 65 V)
? Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
? Smaller footprint compared to conventional leaded SMD packages
? Low package height of 0.5 mm
? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
產品屬性
- 產品編號:
BC856BQC-QZ
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, BC856xQC-Q
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
650mV @ 5mA,100mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
220 @ 2mA,5V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝,可潤濕側翼
- 封裝/外殼:
3-XDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝:
DFN1412D-3
- 描述:
TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
KEC |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
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詢價 | ||
NEXPERIA |
23+ |
原廠原封 |
30000 |
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NEXPERIA |
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con |
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TAIWANSEMI |
2447 |
SMD |
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Taiwan Semiconductor |
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KEC |
23+ |
SOT23 |
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詢價 | ||
KEC |
25+ |
SOT23 |
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詢價 | ||
KEC |
24+/25+ |
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詢價 | |||
KEC |
21+ |
SOT23-3 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 |