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BC859AW中文資料西門子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BC859AW
廠商型號(hào)

BC859AW

功能描述

PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

文件大小

273.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國(guó)西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-27 23:19:00

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BC859AW規(guī)格書詳情

Features

● For AF input stages and driver applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Low noise between 30 Hz and 15 kHz

● Complementary types: BC 847W, BC 848W, BC 849W, BC 850W (NPN)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BC859AW

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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TO220TO263
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