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BC859S

SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors

Diotec

Diotec Semiconductor

BC859S

Powerdissipation,plasticcase,Weightapprox

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation300mW ?PlasticcaseSOT-363 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

BC859W

PNPgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplements:BC849WandBC850W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BC859W

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司

BC859W

PNPGeneralPurposeTransistor

■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●ComplementstoBC849WandBC850W.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

BC859W

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

Diotec

Diotec Semiconductor

BC859W

PNPSiliconAFTransistors

?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC859W

PNPgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplements:BC849WandBC850W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC859W

SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors

Diotec

Diotec Semiconductor

BC859W

PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS

VOLTAGE30/45/65VoltsCURRENT200mWatts FEATURES ?Generalpurposeamplifierapplications ?PNPepitaxialsilicon,planardesign ?CollectorcurrentIC=100mA ?Complimentary(NPN)Devices:BC846W/BC847W/BC848W/BC849WSeries ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    BC859CW RF

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP/恩智浦
23+
SOT-323
50000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
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NXP/恩智浦
2022
SOT-323
80000
原裝現貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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NXP/恩智浦
23+
NA/
800
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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NXP/恩智浦
22+
SOT-323
20000
原裝現貨,實單支持
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NXP
23+
SOT323
8000
只做原裝現貨
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NXP
23+
SOT323
7000
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NXP/恩智浦
25+
SOT323
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原裝正品,假一罰十!
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24+
SOP16
11016
公司現貨庫存,支持實單
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1809+
SOT-323-3
16750
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2405+
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12500
15年芯片行業(yè)經驗/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐
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更多BC859CW RF供應商 更新時間2025-3-25 10:59:00

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