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BCP53H

Marking：BCP53H；Package：SC-73；80 V, 1 A PNP medium power transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?High-temperatureapplicationsupto175?C ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCP53H

80 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?High-temperatureapplicationsupto175?C ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCP53H_SER

80 V, 1 A PNP medium power transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?High-temperatureapplicationsupto175?C ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCP53H-Q

Marking：BCP53H；Package：SOT223；80 V, 1 A PNP medium power transistors

1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinaSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?High-temperatureapplications

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCP53H-Q_SER

80 V, 1 A PNP medium power transistors

1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinaSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?High-temperatureapplications

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BCP53L3

General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor

Description Generalpurposemainlyintendedforuseinmediumpowerindustrialapplicationandforaudioamplifieroutputstage. Features ?HighcollectorcurrentandlowVCE(SAT) ?ComplementtoBCP56L3 ?Pb-freepackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

BCP53M

PNP Silicon AF Transistor (For AF driver and output stages High collector current)

PNPSiliconAFTransistor ?ForAFdriverandoutputstages ?Highcollectorcurrent ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Complementarytypes:BCP54M...BCP56M(NPN)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BCP53QTA

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223

Features ?BVCEO>-45V,-60V&-80V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?2WPowerDissipation ?LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

BCP53T

Marking：BCP53T；Package：SC-73；80 V, 1 A PNP medium power transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCP53T

80 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability

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晶體管資料

  • 型號：

    BCP53

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    80V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    50MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    1.5W

  • 放大倍數(shù)：

    β=250

  • 圖片代號：

    H-99

  • vtest：

    80

  • htest：

    50000000

  • atest：

    1

  • wtest：

    1.5

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BCP53

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 150mA，2V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-223-4

  • 描述：

    TRANS PNP 80V 1.2A SOT223-4

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEXPERIA/安世
24+
SOT-223-4
20000
熱賣優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價
2015+
1
公司現(xiàn)貨庫存
 詢價
NXP
23+
SOT-223
23652
進口原裝正品,絕無虛假,價格優(yōu)惠
 詢價
NEXPERIA
23+
SOT223
75000
NXP現(xiàn)貨商!常備進口原裝庫存現(xiàn)貨!
 詢價
NXP
24+
SOT223
366000
一級代理/全新原裝現(xiàn)貨/長期供應!
 詢價
NXP/恩智浦
2019+
SOT223
36000
原盒原包裝 可BOM配套
 詢價
NEXPERIA
21+20
SOT223
60000
全新原裝公司現(xiàn)貨
詢價
Nexperia/安世
21+
SOT-223
1000
十年信譽,只做原裝,有掛就有現(xiàn)貨!
 詢價
NXP/恩智浦
24+
SOT223
4500
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
Infineon/英飛凌
24+
SOT223
163000
一級代理保證進口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理
 詢價
更多BCP53供應商 更新時間2025-4-6 14:14:00

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