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BC69-16PA

20V,2APNPmediumpowertransistors

Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesinSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■Highcurrent ■Threecurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT10

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BC69-16PA

20V,2APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) ?AEC-Q101qualified

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

BC69-16PAS

20V,2APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits *Highcollectorcurrentcapability ICandICM *Threecurrentgainselections *ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB) arearequirements *LeadlessverysmallSMDplastic packagewithmediumpowercapability *Exposedheatsinkforexcellentthermal andelectricalcond

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

BC69-16PAS

20V,2APNPmediumpowertransistors

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

BCP69-16

PNPSiliconAFTransistor(ForgeneralAFapplicationHighcollectorcurrentHighcurrentgain)

PNPSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP68(NPN)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BCP69-16

PNPmediumpowertransistor

DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaSOT223plasticpackage.NPNcomplement:BCP68. FEATURES ?Highcurrent(max.1A) ?Lowvoltage(max.20V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Powerapplicationssuchasaudiooutputstages.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BCP69-16

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BCP69-16

20V,2APNPmediumpowertransistors

Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesinSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■Highcurrent ■Threecurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT10

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BCP69-16

20V,1APNPmediumpowertransistor

Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesinSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■Highcurrent ■Threecurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT10

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BCP69-16

PNPSiliconAFTransistor

PNPSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP68(NPN)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BCP69-16 T/R

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NXP
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全新原裝現(xiàn)貨庫(kù)存
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NEXPERIA
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NXP/恩智浦
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原裝正品
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NXP/恩智浦
23+
SOT-223
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SOT-223
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Nexperia(安世)
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SOT-223
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原裝正品,有掛有貨,假一賠十
 詢(xún)價(jià)
更多BCP69-16 T/R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-4 8:30:00

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