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BCR10PM-14LJA8B00

700V - 10A - Triac Medium Power Use

Features ?IT(RMS):10A ?VDRM:800V(Tj=125°C) ?Tj:150°C ?IFGTI,IRGTI,IRGT???:30mA ?Viso:2000V ?InsulatedType ?PlanarPassivationType ?ULRecognized:FileNo.E223904

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

BCR10PM-14LJB00

700V - 10A - Triac Medium Power Use

Features ?IT(RMS):10A ?VDRM:800V(Tj=125°C) ?Tj:150°C ?IFGTI,IRGTI,IRGT???:30mA ?Viso:2000V ?InsulatedType ?PlanarPassivationType ?ULRecognized:FileNo.E223904

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

BCR10PM-8

Isolated Triac 10 Amperes/400-600 Volts

Description: AtriacisasolidstatesiliconACswitchwhichmaybegatetriggeredfromanoff-statetoanon-stateforeitherpolarityofappliedvoltage. Features: □FullMoldedIsolationPackage □GlassPassivation □1500VRMSIsolationVoltage □ULRecognition □Excel

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

BCR10PM-8L

Isolated Triac 10 Amperes/400-600 Volts

Description: AtriacisasolidstatesiliconACswitchwhichmaybegatetriggeredfromanoff-statetoanon-stateforeitherpolarityofappliedvoltage. Features: □FullMoldedIsolationPackage □GlassPassivation □1500VRMSIsolationVoltage □ULRecognition □Excel

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

BCR10PN

Marking：W1s；Package：SOT-363；NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array

NPN/PNPSiliconDigitalTransistorArray ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP Transistorsinonepackage ?BuiltinbiasresistorNPNandPNP (R1=10k?,R2=10k?) ?Pb-free(RoHScompliant)package ?Qualified

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR10PN

NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit)

NPN/PNPSiliconDigitalTansistorArray ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivecircuit ?Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNPTransistorinonepackage ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=10k?)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BCR10PN-H6327

NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array

NPN/PNPSiliconDigitalTransistorArray ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP Transistorsinonepackage ?BuiltinbiasresistorNPNandPNP (R1=10k?,R2=10k?) ?Pb-free(RoHScompliant)package ?Qualified

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR10UM

MEDIUM POWER USE INSULATED TYPE, GLASS PASSIVATION TYPE

●IT(RMS)......................................................................10A ●VDRM..............................................................400V/600V ●IFGTI,IRGTI,IRGTIII...........................................15mA ●Viso.................................................

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

BCR112

Marking：WFs；Package：SOT-23；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=4.7k?,R2=4.7k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR112

NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, inferface circuit, driver circuit)

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=4.7k?,R2=4.7k?)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

晶體管資料

  • 型號：

    BCR

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SB1188,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-100

  • vtest：

    40

  • htest：

    100000000

  • atest：

    2

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BCR

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Thin Film, Back-Contact Resistor

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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