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BCR112W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

BCR112W
廠商型號

BCR112W

參數(shù)屬性

BCR112W 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

功能描述

NPN Silicon Digital Transistor
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

絲印標(biāo)識

WFs

封裝外殼

SOT-323 / SC-70,SOT-323

文件大小

206.83 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-22 17:09:00

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BCR112W規(guī)格書詳情

BCR112W屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BCR112W晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項目成本。

NPN Silicon Digital Transistor

? Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

? Built in bias resistor (R1=4.7k?, R2=4.7k?)

? For 6-PIN packages: two (galvanic) internal

isolated transistors with good matching

in one package

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BCR112WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
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SOT323
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SOT323-3
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