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BFY183

HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor)

Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz,F=2.3dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFY183ES

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY183H

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY183P

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY183S

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BH183

BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL

ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司

BLF183XR

PowerLDMOStransistor

Generaldescription A350WextremelyruggedLDMOSpowertransistorforbroadcastandindustrial applicationsintheHFto600MHzband. Featuresandbenefits ?Easypowercontrol ?IntegratedESDprotection ?Excellentruggedness ?Highefficiency ?Excellentthermalstability ?Designed

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLF183XRS

PowerLDMOStransistor

Generaldescription A350WextremelyruggedLDMOSpowertransistorforbroadcastandindustrial applicationsintheHFto600MHzband. Featuresandbenefits ?Easypowercontrol ?IntegratedESDprotection ?Excellentruggedness ?Highefficiency ?Excellentthermalstability ?Designed

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BMP183

Digitalpressuresensor

boschBosch Sensortec GmbH

博世博世半導(dǎo)體

BTP-183XXCQ-XX-XX

BriLux1WLightSource

DBLECTRODB Lectro Inc

迪貝電子

晶體管資料

  • 型號：

    BCR183W

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    DTA114EU,UN5111,2SA1678,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BCR183W

  • 制造商：

    INFINEON

  • 制造商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    PNP Silicon Digital Transistor

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon
19+
SOT-323
38000
詢價
INFINEON/英飛凌
24+
SOT323
45000
熱賣優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
SOT-323
163000
一級代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理
 詢價
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
SIEMENS
24+
原廠封裝
6000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
INFINEON
23+
SOT-323
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
Infineo
23+
SOT-323
8650
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
 詢價
SOT-323
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
 詢價
Infineo
21+
SOT-323
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
 詢價
更多BCR183W供應(yīng)商 更新時間2025-4-12 16:04:00

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