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BCW61C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BCW61C
廠商型號

BCW61C
參數(shù)屬性

BCW61C 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB
功能描述

SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

125.27 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡稱

Central

中文名稱

美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-6 17:38:00
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BCW61C規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCW61B Series types are PNP Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low level, low noise applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BCW61C,235

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    550mV @ 1.25mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    250 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-236AB

  • 描述：

    TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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