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BCW66分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BCW66
廠商型號

BCW66

參數屬性

BCW66 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 45V 0.8A SOT23

功能描述

NPN Silicon AF Transistor
TRANS NPN 45V 0.8A SOT23

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

50.44 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-21 8:30:00

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晶體管資料

  • 型號:

    BCW66(EF,EG,EH)

  • 別名:

    BCW66三極管、BCW66晶體管、BCW66晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    微型 (Min)_低頻或音頻放大 (LF)_開關管 (S)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    75V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    BCX19,3DK40B,

  • 最大耗散功率:

    0.35W

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    75

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.35

BCW66規(guī)格書詳情

BCW66屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產的BCW66晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

NPN Silicon AF Transistor

? For general AF applications

? High current gain

? Low collector-emitter saturation voltage

? Complementary types: BCW67, BCW68 (PNP)

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    BCW66KE6359HTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    450mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 500mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    170MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    PG-SOT23

  • 描述:

    TRANS NPN 45V 0.8A SOT23

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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