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BFR180

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager)atcollector currentsfrom0.2mAto2.5mA ?fT=7GHz F=2.1dBat900MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR180W

NPNSiliconRFTransistor(Forlow-poweramplifiersinmobilecommunicationsystemspageratcollectorcurrentsfrom0.2mAto2.5mA)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager)atcollector currentsfrom0.2mAto2.5mA ?fT=7GHz F=2.1dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR180W

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager)atcollector currentsfrom0.2mAto2.5mA ?fT=7GHz F=2.1dBat900MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY180

HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductorForlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2to2.5mA)

Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2to2.5mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6.5GHz,F=2.6dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFY180

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0,2mAto2,5mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHzF=2.6dBat2GHz ?eesaSpaceQualifiedESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006TypeVariant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY180ES

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0,2mAto2,5mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHzF=2.6dBat2GHz ?eesaSpaceQualifiedESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006TypeVariant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY180H

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0,2mAto2,5mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHzF=2.6dBat2GHz ?eesaSpaceQualifiedESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006TypeVariant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY180P

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0,2mAto2,5mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHzF=2.6dBat2GHz ?eesaSpaceQualifiedESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006TypeVariant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFY180S

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0,2mAto2,5mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHzF=2.6dBat2GHz ?eesaSpaceQualifiedESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006TypeVariant

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BMA180

Digital,triaxialaccelerationsensor

boschBosch Sensortec GmbH

博世博世半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BD180G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    800mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1mA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 150mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    3MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-126

  • 描述：

    TRANS PNP 80V 1A TO126

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
24+
TO-225
1259
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
 詢價
onsemi
24+
TO-225AA,TO-126-3
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
ON
24+
TO-225
8866
詢價
ON
24+/25+
180
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
ON
23+
TO-225
7824
全新原裝
 詢價
PH
16+
TO-126
10000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
ONSemiconductor
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
ON
1738+
TO-126
8529
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
 詢價
ON
16+
原廠封裝
10000
全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應,歡迎來電咨詢
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
更多BD180G供應商 更新時間2025-4-7 20:50:00

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