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NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunications) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNsystems ?fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP. @VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz ?HighGain ︱S21︱2=18dBTYP. @VCE=6V,IC=30mA,f=1GHz ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobust deviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
LownoisesiliconbipolarRFtransistor Productdescription ?NPNsiliconplanarepitaxialtransistorin4-pindual-emitterSOT343packageforlownoiseandlowdistortionwidebandamplifiers.ThisRFtransistorbenefitsfromInfineonlong-termexperienceinRFcomponentsandcombinesease-of-usetostablevolumesproduction,atbenchm | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHz F=3dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:5 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductorForlownoise,highgainamplifiersupto2GHz.) Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainamplifiersupto2GHz. ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6.5GHz,F=3dBat2GHz ?ESAQualificationpending | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHz F=3dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:5 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHz F=3dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:5 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
40V
- 最大電流允許值：
6A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數：
3
- 可代換的型號：
BD206,3CD10B,
- 最大耗散功率：
65W
- 放大倍數：
- 圖片代號：
B-21
- vtest：
40
- htest：
999900
- atest：
6
- wtest：
65
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
NXP/ON/ST/FAIRCHILD |
23+ |
TO-3P |
12888 |
原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價 | ||
ROHM/羅姆 |
21+ |
SSOP20 |
20000 |
全新原裝 公司現貨 價優(yōu) |
詢價 | ||
ROHM/羅姆 |
22+ |
SSOP20 |
50000 |
只做原裝正品,假一罰十,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
ROHM/羅姆 |
25+ |
SSOP20 |
1300 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOT23-51V |
18000 |
公司現貨庫存,支持實單 |
詢價 | ||
ROHM |
23+ |
SSOT |
8650 |
受權代理!全新原裝現貨特價熱賣! |
詢價 | ||
ROHM |
2020+ |
SSOT |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ROHM/羅姆 |
2447 |
SSOT |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現貨,長期排單到貨 |
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ROHM/羅姆 |
24+ |
SSOT |
41234 |
鄭重承諾只做原裝進口現貨 |
詢價 |
