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BD201中文資料GE數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BD201
廠商型號(hào)

BD201

功能描述

EPITAXIAL BASE SILICON NPN AND PNP VERSAWATT TRANSISTORS

文件大小

109.56 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 GE Industrial Company
企業(yè)簡稱

GE

中文名稱

GE Industrial Company官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-30 22:58:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    BD201

  • 別名:

    BD201三極管、BD201晶體管、BD201晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD243A,BD597,3DD67C,

  • 最大耗散功率:

    55W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-10

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    55

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BD201

  • 制造商:

    COMSET

  • 制造商全稱:

    Comset Semiconductor

  • 功能描述:

    SILCON EPITAXIAL-BASE POWER TRANSISTORS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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