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FRL234H	文件：47.94 Kbytes Page：6 Pages	4A,250V,0.700Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandP-Channelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25m?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRL234R	文件：47.94 Kbytes Page：6 Pages	4A,250V,0.700Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandP-Channelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25m?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRM234	文件：49.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FRM234D	文件：48.69 Kbytes Page：6 Pages	7A,250V,0.70Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25m?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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FRS234D	文件：49.8 Kbytes Page：6 Pages	5A,250V,0.715Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25m?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRS234H	文件：49.8 Kbytes Page：6 Pages	5A,250V,0.715Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25m?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRS234R	文件：49.8 Kbytes Page：6 Pages	5A,250V,0.715Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25m?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL234D	文件：46.03 Kbytes Page：8 Pages	4A,250V,0.610Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BD234G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1A，2V
頻率 - 躍遷：
3MHz
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-126
描述：
TRANS PNP 45V 2A TO126

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BD234G	onsemi(安森美)	23+	TO-225	1259	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BD234G	onsemi	24+	TO-225AA,TO-126-3	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BD234G	ON	24+	TO-225	8866		詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	BD234G		1738+	TO-220	8529	科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!	詢價
深圳市納立科技有限公司	BD234G		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	BD234G	ON(安森美)	2447	TO-225AA	115000	500個/盒一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期	詢價
深圳市科雨電子有限公司	BD234G	ON	1809+	TO-225	3675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市達(dá)恩科技有限公司	BD234G	ON	24+	NA	3000	進(jìn)口原裝假一罰十現(xiàn)貨	詢價
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更多BD234G供應(yīng)商更新時間2025-4-2 13:39:00

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