BD244C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號(hào) |
BD244C |
參數(shù)屬性 | BD244C 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100V 6A TO220-3 |
功能描述 | Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
147.12 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-21 19:20:00 |
人工找貨 | BD244C價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
BD244C三極管、BD244C晶體管、BD244C晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
100V
- 最大電流允許值:
6A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
BD602,TIP42C,3CD10D,
- 最大耗散功率:
65W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號(hào):
B-10
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
6
- wtest:
65
BD244C規(guī)格書詳情
BD244C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BD244C晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
Complementary Silicon Plastic Power Transistors
These devices are designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
Features
? High Current Gain Bandwidth Product
? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant*
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BD244C
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
1.5V @ 1A,6A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
700μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
15 @ 3A,4V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220-3
- 描述:
TRANS PNP 100V 6A TO220-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2019 |
TO-220 |
19700 |
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