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N-channelsiliconfield-effecttransistors FEATURES ?Interchangeabilityofdrainandsourceconnections ?Frequenciesupto700MHz. APPLICATIONS ?LF,HFandDCamplifiers. DESCRIPTION GeneralpurposeN-channelsymmetricaljunction field-effecttransistorsinaplasticTO-92variantpackage. | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
PNPvideotransistor DESCRIPTION PNPsilicontransistorencapsulatedina3-leadplasticSOT128Bpackage. APPLICATIONS ?Primarilyintendedforcascodeoutputandbufferstagesinhighresolutioncolourmonitors. | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
VHFpowerMOStransistor | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
RFPOWERMOSFET DESCRIPTION: TheASIBLF245isaverticalD-MOStransistordesignedforlargesignalamplifierapplicationsintheVHFfrequencyrange. FEATURESINCLUDE: ?PG=13dBTypicalat175MHz ?30:1LoadVSWRCapability ?Omnigold?metalizationsystem | ASI Advanced Semiconductor | ASI | ||
RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
VHFpush-pullpowerMOStransistor DESCRIPTION Dualpush-pullsiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistordesignedforlargesignalamplifierapplicationsintheVHFfrequencyrange. FEATURES ?Highpowergain ?Easypowercontrol ?Goodthermalstability ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
RFPOWERMOSFET DESCRIPTION: TheASIBLF245CisaVDMOStransistordesignedforlargesignalamplifierapplicationsintheVHFfrequencyrange. FEATURESINCLUDE: ?PG=16dBTypicalat175MHz ?30:1LoadVSWRCapability ?Omnigold?metalizationsystem | ASI Advanced Semiconductor | ASI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD249A,BD213/60,BD257/60,TIP33B,3DD68C,
- 最大耗散功率：
80W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-62
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
80
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
BD245A
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT 80W NPN Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3PN |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
ST |
24+ |
TO-218 |
15000 |
原裝現(xiàn)貨熱賣 |
詢價 | ||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
BOURNS |
23+ |
360 |
詢價 | ||||
BOURNS/伯恩斯 |
23+ |
TO-218 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
PHILIPS |
22+ |
TO-3P |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
BOURNS/伯恩斯 |
22+ |
TO-218 |
50000 |
只做原裝假一罰十,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
N/A |
23+ |
SOT23 |
5177 |
現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
BOURNS/伯恩斯 |
24+ |
NA/ |
3260 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
PHILIPS |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 |
