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BUZ351

11.5A,400V,0.400Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

11.5A,400V,0.400Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistordesignedforapplicationssuchas switchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitching tran

Intersil

Intersil Corporation

BUZ351

mainratings

11.5A,400V,0.400Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ351

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

CDC351

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TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

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更多BD351N供應商 更新時間2025-4-8 15:51:00