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BD435分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BD435
廠商型號(hào)

BD435

參數(shù)屬性

BD435 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 32V 4A SOT32-3

功能描述

PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

183.67 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國(guó)西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:00:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    BD435(A-C)(-10...-25)

  • 別名:

    BD435三極管、BD435晶體管、BD435晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    32V

  • 最大電流允許值:

    4A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD185,BD195,3DD62A,

  • 最大耗散功率:

    36W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-21

  • vtest:

    32

  • htest:

    100000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    36

BD435規(guī)格書詳情

PNP Silicon Epibase Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BD435

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS NPN 32V 4A SOT32-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
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