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BD540 | PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD539Series ●45Wat25°CCaseTemperature ●5AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
BD540 | PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD539Series ●45Wat25°CCaseTemperature ●5AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | |
BD540 | isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ?DCCurrentGain- :hFE=40(Min.)@IC=-0.5A ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-40V(Min) ?ComplementtoTypeBD539 APPLICATIONS ?Designedforuseinmediumpowerlinearandswitching applications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | |
BD540 | Silicon PNP Power Transistor | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD539Series ●45Wat25°CCaseTemperature ●5AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable | POINN Power Innovations Ltd | POINN | ||
PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD539Series ●45Wat25°CCaseTemperature ●5AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | ||
isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ?DCCurrentGain- :hFE=40(Min.)@IC=-0.5A ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) ?ComplementtoTypeBD539A APPLICATIONS ?Designedforuseinmediumpowerlinearandswitching applications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD539Series ●45Wat25°CCaseTemperature ●5AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable | POINN Power Innovations Ltd | POINN | ||
PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD539Series ●45Wat25°CCaseTemperature ●5AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | ||
isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ?DCCurrentGain- :hFE=40(Min.)@IC=-0.5A ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-80V(Min) ?ComplementtoTypeBD539B APPLICATIONS ?Designedforuseinmediumpowerlinearandswitching applications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
120V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD244,BD544,BD596,3CD50B,
- 最大耗散功率：
45W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-10
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
5
- wtest：
45
詳細參數(shù)
- 型號：
BD540
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT 45W PNP Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
PHL |
1738+ |
TO-220 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
NXP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
JINGDAO/晶導微 |
23+ |
GBJ |
69820 |
終端可以免費供樣,支持BOM配單! |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原廠代理 終端免費提供樣品 |
詢價 | ||
N/A |
23+ |
原廠封裝 |
5177 |
現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
57000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220 |
90218 |
詢價 |
