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SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT5Amperes FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity ?Foruseinlow | PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司 | PANJIT | ||
SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT5Amperes FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity ?Foruseinlow | PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司 | PANJIT | ||
SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS | PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司 | PANJIT | ||
5.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE | ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司 | ZSELEC | ||
SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200Volts CURRENT5Amperes FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity ?Foruseinl | PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司 | PANJIT | ||
NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis13dB@VCE=8V，IC=40mA，f=0.9GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.8dB@VCE=10V，IC=10mA，f=0.9GHz fT(TYP.):TYP.Valueis9GHz@VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司 | SKTECHNOLGY | ||
RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21︱2=16dBTYP.@VCE=8V,IC=40mA,f=900MHz ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,h | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
120V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD544D,3CD50E,
- 最大耗散功率：
45W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-10
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
5
- wtest：
45
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
NXP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINOEN |
23+ |
D2PAK(TO |
69820 |
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單! |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) | ||
N/A |
23+ |
SOT-223 |
5177 |
現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
BOURNSINC |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
BOURNSINC |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
TO-220 |
23480 |
詢價(jià) | |||
UTG |
23+ |
1000688 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳 |
詢價(jià) | |||
PANJIT |
24+ |
NA/ |
5250 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) |
