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BD544B中文資料新澤西半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BD544B
廠商型號

BD544B

功能描述

Silicon PNP Power Transistors

文件大小

139.05 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導體

中文名稱

新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-14 20:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    BD544B

  • 別名:

    BD544B三極管、BD544B晶體管、BD544B晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD600,BD710,BD744B,BD810,3CD075C,

  • 最大耗散功率:

    70W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    70

BD544B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? 70 W at 25°C Case Temperature

? Complement to Type BD543/A/B/C

? 8 A Continuous Collector Current

APPLICATIONS

? Designed for high power audio amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BD544B

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 70W PNP Silicon

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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