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BD650 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
BD650 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ?DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649ANDBD651 ?62.5Wat25°CCaseTemperture ?8AContinuousCollectorCurrent ?MinimumhFEof750at3V,3A | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
BD650 | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司 | SIEMENS | |
BD650 | PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司 | SIEMENS | |
BD650 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647 | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BD650 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | |
BD650 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-100V(Min) ·HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=-3A ·LowSaturationVoltage ·ComplementtoTypeBD649 APPLICATIONS ·DesignedforuseascomplementaryAFpush-pull | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BD650 | Silicon PNP Power Transistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
BD650 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BD650 | Silicon NPN Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
8A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD702,BD902,BDW74C,BDX34C,BDX54C,FC50B,
- 最大耗散功率：
62.5W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
62.5
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BD650
- 功能描述：
達(dá)林頓晶體管 62.5W PNP Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
集電極—基極電壓
- 最大直流電集電極電流：
0.5 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
SOIC-18
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/進(jìn)口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢價(jià) | |||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
PHI |
1738+ |
TO-220 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ON/ST |
19+ |
TO-126 |
65974 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
POWER |
23+ |
TO-220 |
25000 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
P |
23+ |
TO-220 |
34 |
詢價(jià) | |||
ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |
