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BU807

HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor

HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor ?UsingInHorizontalOutputStagesof110°CrtVideoDisplays ?BUILT-INSPEED-UPDiodeBetweenBaseandEmitter

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BU807

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBU806andBU807typesareNPNSiliconDarlingtonTransistorsdesignedforhighvoltage,highcurrent,fastswitchingapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

BU807

SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BU807

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORv

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

BU807

HighVoltage:VCBO=330V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BU807

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

BU807

FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BU807FI

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ?HighVoltage:VCBO=330V(Min) ?LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS ?DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BU807FI

SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ?HighVoltage:VCBO=330V(Min) ?LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS ?DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BU807FI

FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

晶體管資料

  • 型號:

    BD807

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    70V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD545B,BD707,3DD164B,

  • 最大耗散功率:

    90W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    70

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    90

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    BD807

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    isc Silicon NPN Power Transistor

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
TO-220
10000
全新
詢價
ON
16+
TO-220
10000
全新原裝現(xiàn)貨
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ISC
23+
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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23+
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5177
現(xiàn)貨
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TO-220
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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ON
23+
TO-220
5000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多BD807供應(yīng)商 更新時間2025-4-5 16:00:00