BD809分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BD809 |
| 參數(shù)屬性 | BD809 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 80V 10A TO220 |
| 功能描述 | Plastic High Power Silicon Transistor |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
86.03 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-19 10:47:00 |
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晶體管資料
- 型號：
- 別名：
BD809三極管、BD809晶體管、BD809晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD545C,BD709,3DD164B,
- 最大耗散功率：
90W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-10
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
90
BD809規(guī)格書詳情
BD809屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BD809晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BD809G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.1V @ 300mA，3A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 4A，2V
- 頻率 - 躍遷：
1.5MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN 80V 10A TO220
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO-2203LEADS |
7844 |
全新原裝 |
詢價 | ||
AP |
23+ |
S0-8 |
69820 |
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MOTO |
23+ |
NA |
710 |
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VAL |
23+ |
20000 |
正品原裝貨價格低 |
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21+ |
TO2633F |
13880 |
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詢價 | ||
SPTECH(深圳質(zhì)超) |
23+ |
TO-220C |
66 |
三極管/MOS管/晶體管 > 三極管(BJT) |
詢價 | ||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
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ROHM |
24+ |
N/A |
90000 |
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24+ |
TO220 |
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