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BD809分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BD809
廠(chǎng)商型號(hào)

BD809

參數(shù)屬性

BD809 封裝/外殼為T(mén)O-220-3;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 10A TO220

功能描述

Silicon NPN Power Transistors

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

132.22 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ISC無(wú)錫固電

中文名稱(chēng)

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-19 10:41:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    BD809

  • 別名:

    BD809三極管、BD809晶體管、BD809晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD545C,BD709,3DD164B,

  • 最大耗散功率:

    90W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    90

BD809規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type BD810

·DC current gain

: hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc

APPLICATIONS

·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BD809G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.1V @ 300mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 4A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.5MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 10A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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