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BR810

SILICONBRIDGERECTIFIERS

EIC

EIC discrete Semiconductors

BR810

SinglePhaseSiliconBridgeRectifier

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

BR810

SiliconBridgeRectifiers

HY

HY ELECTRONIC CORP.

BR810

SINGLEPHASE8.0AMPBRIDGERECTIFIERS

VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT8.0Amperes FEATURES *Lowleakagecurrent *Lowforwardvoltage *Mounting:Holethrufor#6screw *Mountingposition:Any

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BR810

BridgeRectifier

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

BR810

SILICONBRIDGERECTIFIERS

CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd.

辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司

BR810

SILICONBRIDGERECTIFIERS

VOLTAGERANGE:50---1000VCURRENT:8.0A FEATURES ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto125Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmolded plastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇LeadsolderableperMIL-STD-202me

DSK

Diode Semiconductor Korea

BR810

SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER

FEATURES ?Lowcost ?ThisseriesisULrecognizedundercomponent index,filenumberE127707 ?Highforwardsurgecurrentcapability ?Idealforprintedcircultboard ?Highisolationvoltagefromcasetoleads. ?Hightemperaturesolderingguaranteed: 260°C/10second,at5lbs.(2.

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

BR810

SiliconBridgeRectifiers

VOLTAGERANGE:50---1000VCURRENT:8.0A Features ?Ratingto1000VPRV ?Surgeoverloadratingto125Amperespeak ?Idealforprintedcircuitboard ?Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ?LeadsolderableperMIL-

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

BR810

MINISURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

VOLTAGE100VoltsCURRENT8Amperes FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ?Lowpowerloss,highefficiency ?Highsurgecapacity ?LeadfreeincomplywithEURoHS2011/

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BD810G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.1V @ 300mA，3A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1mA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 4A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.5MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS PNP 80V 10A TO220

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
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TO-220
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更多BD810G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-7 11:05:00

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