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iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?RuggedGateOxideTechnology | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ●VGSRatedat±20V ●SiliconGateforFastSwitchingSpe | ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED. | ARTSCHIP | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS
| STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團 | STMICROELECTRONICS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?RuggedGateOxideTechnology | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
BI-DIRECTIONALCOUPLERS BI-DIRECTIONALCOUPLERS | SYNERGY Synergy Microwave Corporation | SYNERGY | ||
EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. | KECKEC CORPORATION KEC株式會社 | KEC | ||
EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighOutputCurrent:800mA. | KECKEC CORPORATION KEC株式會社 | KEC | ||
EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. | KECKEC CORPORATION KEC株式會社 | KEC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
1.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD137,BD827,3DA11B,
- 最大耗散功率：
10W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-84
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
1.5
- wtest：
10
詳細參數(shù)
- 型號：
BD841
- 功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-202AA
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VAL |
23+ |
20000 |
正品原裝貨價格低 |
詢價 | |||
ROHM/羅姆 |
23+ |
TO-252-5 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ROHM/羅姆 |
23+ |
TO-252-5 |
20000 |
原裝正品 歡迎咨詢 |
詢價 | ||
ROHM/羅姆 |
23+ |
NA/ |
1420 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
ROHM |
23+ |
TO263-5 |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ROHM |
23+ |
TO263-5 |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ROHM/羅姆 |
24+ |
TO-252-5 |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
PHILIPS |
24+ |
4000 |
詢價 | ||||
ISC/固電 |
23+ |
TO-202 |
23000 |
原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳 |
詢價 | ||
PHI |
05+ |
原廠原裝 |
551 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應 |
詢價 |
