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BDT60C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

BDT60C
廠商型號

BDT60C
參數(shù)屬性

BDT60C 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP DARL 120V 4A TO220
功能描述

PNP SILICON POWER DARLINGTONS
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

212.33 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 14:14:00
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晶體管資料

  • 型號：

    BDT60C

  • 別名：

    BDT60C三極管、BDT60C晶體管、BDT60C晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    120V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    >10MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BDW54D,BDW64D,

  • 最大耗散功率：

    50W

  • 放大倍數(shù)：

    β>750

  • 圖片代號：

    B-89

  • vtest：

    120

  • htest：

    10000100

  • atest：

    4

  • wtest：

    50

BDT60C規(guī)格書詳情

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

? Designed for Complementary Use with BDT60, BDT60A, BDT60B and BDT60C

? 50 W at 25 °C Case Temperature

? 4 A Continuous Collector Current

? Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BDT60C-S

  • 制造商：

    Bourns Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.5V @ 6mA，1.5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    750 @ 1.5A，3V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 120V 4A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
20+
TO-220
38560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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