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BDV64B | POWER TRANSISTORS(12A,125W)
| MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
BDV64B | DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ComplementarySiliconPlasticPowerDarlingtons ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Features ?HighDCCurrentGain?HFE=1000(min)@5Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShuntResistors ?ThesearePb?FreeDevices* | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
BDV64B | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDV65,BDV65A,BDV65BandBDV65C ●125Wat25°CCaseTemperature ●12AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at4V,5A | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
BDV64B | Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons ComplementarySiliconPlasticPowerDarlingtons ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Features ?HighDCCurrentGain HFE=1000(min)@5Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShuntResistors | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | |
BDV64B | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBDV65/65A/65B/65C ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Foruseingeneralpurposeamplifierapplications. | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
BDV64B | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·CollectorCurrent-IC=-12A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max.)@IC=-5A ·ComplementtoTypeBDV65/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BDV64B | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ?DesignedforComplementaryUsewithBDV64,BDV64A,BDV64BandBDV64C ?125Wat25°CCaseTemperature ?12AContinuousCollectorCurrent ?MinimumhFEof1000at4V,5A | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
BDV64B | PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS PNPSILICONDARLINGTONSPOWERTRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialbasetransistorsmountedinTO-3PN. Theyaredesignedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications. complementaryisBDV65-A-B-C CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BDV64B | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent-lc=-12A ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max.)@lc=-5A ?ComplementtoTypeBDV65/A/B/C APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
BDV64B | Silicon PNP Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
12A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BDV66B,BDW84C,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號：
B-62
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
125
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BDV64B
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
- 頻率 - 躍遷：
60MHz
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-218-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-218
- 描述：
TRANS PNP 100V 12A TO218
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
12 |
TO-3P |
6000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
24+ |
TO-3PN |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
ST |
23+ |
TO-247 |
3000 |
全新原裝 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-3P |
15000 |
原裝現(xiàn)貨熱賣 |
詢價 | ||
ST/ON |
17+ |
TO-3P |
6200 |
詢價 | |||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
ST/PH |
1738+ |
TO-3P |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
ON |
16+ |
原廠封裝 |
10000 |
全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
TI |
23+ |
TO-3P |
8500 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
ON/安森美 |
2447 |
TO-3P |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 |
