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BDV64C | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDV65,BDV65A,BDV65BandBDV65C ●125Wat25°CCaseTemperature ●12AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at4V,5A | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
BDV64C | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ?DesignedforComplementaryUsewithBDV64,BDV64A,BDV64BandBDV64C ?125Wat25°CCaseTemperature ?12AContinuousCollectorCurrent ?MinimumhFEof1000at4V,5A | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
BDV64C | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBDV65/65A/65B/65C ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Foruseingeneralpurposeamplifierapplications. | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
BDV64C | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·CollectorCurrent-IC=-12A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max.)@IC=-5A ·ComplementtoTypeBDV65/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BDV64C | PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS PNPSILICONDARLINGTONSPOWERTRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialbasetransistorsmountedinTO-3PN. Theyaredesignedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications. complementaryisBDV65-A-B-C CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BDV64C | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent-lc=-12A ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max.)@lc=-5A ?ComplementtoTypeBDV65/A/B/C APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
BDV64C | Silicon PNP Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
BDV64C | PNP SILICON POWER DARLINGTONS | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | |
BDV64C | PNP SILICON POWER DARLINGTONS | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | |
Package：TO-218-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP DARL 120V 12A SOT93 | Bourns Inc. Bourns Inc. | Bourns Inc. |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
120V
- 最大電流允許值：
12A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BDV66C,BDW84D,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號(hào)：
B-70
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
125
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BDV64C
- 功能描述：
達(dá)林頓晶體管 125W 12A PNP
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
集電極—基極電壓
- 最大直流電集電極電流：
0.5 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
SOIC-18
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3PN |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
ST |
23+ |
TO-247 |
3000 |
全新原裝 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-3P |
15000 |
原裝現(xiàn)貨熱賣 |
詢價(jià) | ||
PHI |
16+ |
TO-3P |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
ST/PH |
1738+ |
TO-3P |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
PHILIPS/飛利浦 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO-3P |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-218 |
50000 |
只做原裝假一罰十,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
23+ |
20000 |
正品原裝貨價(jià)格低 |
詢價(jià) |
