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BDW64

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?CollectorCurrent-IC=-6A ?HighDCCurrentGain-hFE=750(Min.)@IC=-2A ?ComplementtoTypeBDW63/A/B/C/D APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BDW64

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ?DesignedforComplementaryUsewithBDW63,BDW63A,BDW63B,BOW63CandBDW63D ?60Wat25°CCaseTemperature ?6AContinuousCollectorCurrent ?MinimumhFEof750at3V,2A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

BDW64

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDW63,BDW63A,BDW63B,BDW63CandBDW63D ●60Wat25°CCaseTemperature ●6AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,2A

POINN

Power Innovations Ltd

BDW64

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BDW64A

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDW63,BDW63A,BDW63B,BDW63CandBDW63D ●60Wat25°CCaseTemperature ●6AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,2A

POINN

Power Innovations Ltd

BDW64A

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?CollectorCurrent-IC=-6A ?HighDCCurrentGain-hFE=750(Min.)@IC=-2A ?ComplementtoTypeBDW63/A/B/C/D APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BDW64A

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ?DesignedforComplementaryUsewithBDW63,BDW63A,BDW63B,BOW63CandBDW63D ?60Wat25°CCaseTemperature ?6AContinuousCollectorCurrent ?MinimumhFEof750at3V,2A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

BDW64B

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDW63,BDW63A,BDW63B,BDW63CandBDW63D ●60Wat25°CCaseTemperature ●6AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,2A

POINN

Power Innovations Ltd

BDW64B

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?CollectorCurrent-IC=-6A ?HighDCCurrentGain-hFE=750(Min.)@IC=-2A ?ComplementtoTypeBDW63/A/B/C/D APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BDW64B

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ?DesignedforComplementaryUsewithBDW63,BDW63A,BDW63B,BOW63CandBDW63D ?60Wat25°CCaseTemperature ?6AContinuousCollectorCurrent ?MinimumhFEof750at3V,2A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BDW64

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    45V

  • 最大電流允許值：

    6A

  • 最大工作頻率：

    >1MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD264,BD644,BD896,BDW24,BDW74,BDX54,

  • 最大耗散功率：

    60W

  • 放大倍數(shù)：

    β>750

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    45

  • htest：

    1000100

  • atest：

    6

  • wtest：

    60

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BDW64

  • 功能描述：

    達林頓晶體管 60W 6A PNP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
TO-220
10000
全新
 詢價
BOURNS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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ST
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TO-220
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科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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ST
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TO-220
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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NXP/恩智浦
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TO-225-3
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
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ST/意法
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TO-220
10000
公司只做原裝正品
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ST/意法
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TO-220
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5177
現(xiàn)貨
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TO-220
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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ST
24+
TO-TO-220
37650
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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更多BDW64供應商 更新時間2025-2-11 16:00:00

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