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BDX85C

Power Transistors

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6674,2N6675typesareNPNSiliconTripleDiffusedMesaPowerTransistorsdesignedforhighvoltageswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

BDX85C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain-:hFE=750(Min)@IC=3A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=45V(Min)-BDX85;60V(Min)-BDX85A80V(Min)-BDX85B;100V(Min)-BDX85C ?ComplementtoTypeBDX86/A/B/C APPLICATIONS ?Designedforuseinpowerlinearandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BDX85C

Silicon NPN Darlington Power Transistor

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BDX85C

Bipolar NPN Device

SEME-LAB

Seme LAB

晶體管資料

  • 型號:

    BDX85C

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    10MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BDX65B,BDX83C,BDX87C,FH8B,MJ3001,TIP142,2N6059,2SD628,2SD629,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    100

  • htest:

    10000000

  • atest:

    10

  • wtest:

    100

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    BDX85C

  • 制造商:

    SEME-LAB

  • 制造商全稱:

    Seme LAB

  • 功能描述:

    Bipolar NPN Device

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多BDX85C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-3 16:00:00