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BF1201

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

DESCRIPTION EnhancementtypeN-channelfield-effecttransistorwithsourceandsubstrateinterconnected.Integrateddiodesbetweengatesandsourceprotectagainstexcessiveinputvoltagesurges.TheBF1201,BF1201RandBF1201WRareencapsulatedintheSOT143B,SOT143RandSOT343Rplasticpackage

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BF1201

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF1201R

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

DESCRIPTION EnhancementtypeN-channelfield-effecttransistorwithsourceandsubstrateinterconnected.Integrateddiodesbetweengatesandsourceprotectagainstexcessiveinputvoltagesurges.TheBF1201,BF1201RandBF1201WRareencapsulatedintheSOT143B,SOT143RandSOT343Rplasticpackage

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BF1201R

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF1201WR

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

DESCRIPTION EnhancementtypeN-channelfield-effecttransistorwithsourceandsubstrateinterconnected.Integrateddiodesbetweengatesandsourceprotectagainstexcessiveinputvoltagesurges.TheBF1201,BF1201RandBF1201WRareencapsulatedintheSOT143B,SOT143RandSOT343Rplasticpackage

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BF1201WR

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BF1201_15

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

BF1201_2015

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

BF1201R,215

Package：SOT-143R；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

BF1201WR,115

Package：SC-82A，SOT-343；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BF1201

  • 制造商：

    PHILIPS

  • 制造商全稱：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
NXP
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NXP/恩智浦
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NXP/恩智浦
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更多BF1201供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-2 22:30:00

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