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HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz,F=2.3dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006 | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL | ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當科技亞當科技股份有限公司 | ADAM-TECH | ||
PowerLDMOStransistor Generaldescription A350WextremelyruggedLDMOSpowertransistorforbroadcastandindustrial applicationsintheHFto600MHzband. Featuresandbenefits ?Easypowercontrol ?IntegratedESDprotection ?Excellentruggedness ?Highefficiency ?Excellentthermalstability ?Designed | AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆 | Ampleon | ||
PowerLDMOStransistor Generaldescription A350WextremelyruggedLDMOSpowertransistorforbroadcastandindustrial applicationsintheHFto600MHzband. Featuresandbenefits ?Easypowercontrol ?IntegratedESDprotection ?Excellentruggedness ?Highefficiency ?Excellentthermalstability ?Designed | AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆 | Ampleon |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質：
甚高頻 （VHF）_超高頻/特高頻 （UHF）_振蕩級 （O
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
- 最大工作頻率：
800MHZ
- 引腳數(shù)：
4
- 可代換的型號：
BF357,BF377,BF378,BF689,BF763,2N918,2N2857,3DG112D,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
D-13
- vtest：
0
- htest：
800000000
- atest：
0
- wtest：
0
詳細參數(shù)
- 型號：
BF183
- 功能描述：
TRANZYSTORY
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT/PHI |
24+ |
CAN4 |
8500 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
PHILIPS |
23+ |
CAN |
1550 |
優(yōu)勢庫存 |
詢價 | ||
MOT/ST/PH |
24+ |
CAN4 |
21322 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存! |
詢價 | ||
MOT/PHI |
專業(yè)鐵帽 |
CAN4 |
8500 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 | ||
24+ |
CAN |
35200 |
一級代理分銷/放心采購 |
詢價 | |||
MOT |
24+ |
CAN |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
NA |
2447 |
CAN |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
24+ |
QFN |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單! |
詢價 | |||
23+ |
CAN |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
MOT/PH/ST/SS |
2023+ |
CAN4 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
