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10000hat85?C | JIANGHAIJianghai Europe GmbH 江海歐洲江蘇江海電容器股份有限公司 | JIANGHAI | ||
SMDSchottkyBarrierRectifiers Features -Built-instrainrelief. -Highsurgeandcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertorsfree -wheelingandpolarityprotection. -Metalsiliconjunctionwithguarding. -8.0Arectificationinsmallpackage. | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 | COMCHIP | ||
SMDSchottkyBarrierDiode ReverseVoltage:20~60Volts ForwardCurrent:8A Features: ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenviromentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lo | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 | COMCHIP | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. | CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. | CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. | CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■500V,7.5A,RDS(ON)=0.85Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package. | CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司 | CET |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
15V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
>90MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BF554,BFS18,BFS19,
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-15
- vtest：
15
- htest：
90000100
- atest：
0.1
- wtest：
0.3
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BF840
- 制造商：
NXP Semiconductors
- 功能描述：
TRANSISTOR NPN SOT-23
- 功能描述：
TRANSISTOR, NPN, SOT-23
- 功能描述：
NPN Transistor,40V,25mA,BF840
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT23 |
8950 |
BOM配單專(zhuān)家,發(fā)貨快,價(jià)格低 |
詢價(jià) | ||
NXP |
24+ |
SOT23 |
89000 |
全新原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT23+ |
37048 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div> |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT23+ |
41316 |
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價(jià) | ||
NXP |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
24+ |
3600 |
絕對(duì)原裝!現(xiàn)貨熱賣(mài)! |
詢價(jià) | |||
PHILIPS |
24+/25+ |
1517 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
NXP恩智浦/PHILIPS飛利浦 |
24+ |
SMD |
21179 |
新進(jìn)庫(kù)存/原裝 |
詢價(jià) | ||
13+ |
SOT23 |
4446 |
原裝分銷(xiāo) |
詢價(jià) |
