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BFG10分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG10
廠商型號

BFG10

參數(shù)屬性

BFG10 封裝/外殼為TO-253-4,TO-253AA;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B

功能描述

NPN 2 GHz RF power transistor

絲印標(biāo)識

-MS

封裝外殼

SOT-143 / TO-253-4,TO-253AA

文件大小

257.56 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-16 13:30:00

BFG10規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package.

FEATURES

? High power gain

? High efficiency

? Small size discrete power amplifier

? 1.9 GHz operating area

? Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

? Common emitter class-AB operation in hand-held radio equipment at 1.9 GHz.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFG10/X,215

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    8V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.9GHz

  • 增益:

    7dB

  • 功率 - 最大值:

    400mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    250mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-143B

  • 描述:

    RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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2023+
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