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BFG19分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG19
廠商型號(hào)

BFG19
參數(shù)屬性

BFG19 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223
功能描述

NPN Silicon RF Transistor
封裝外殼

TO-261-4，TO-261AA
文件大小

99.17 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-22 10:46:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BFG194

  • 別名：

    BFG19三極管、BFG19晶體管、BFG19晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    超高頻/特高頻 （UHF）_寬頻帶放大 （A）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    20V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    5GHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BFG55,BFG198,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-99

  • vtest：

    20

  • htest：

    5000000000

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

BFG19規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Transistor

? For low noise, low distortion broadband

amplifiers in antenna and

telecommunication systems up to 1.5 GHz

at collector currents from 10 mA to 70 mA

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BFG198,115

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    8GHz

  • 功率 - 最大值：

    1W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SC-73

  • 描述：

    RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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