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NPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP. @VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz ?HighGain ︱S21︱2=18dBTYP. @VCE=6V,IC=30mA,f=1GHz ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobust deviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
LownoisesiliconbipolarRFtransistor Productdescription ?NPNsiliconplanarepitaxialtransistorin4-pindual-emitterSOT343packageforlownoiseandlowdistortionwidebandamplifiers.ThisRFtransistorbenefitsfromInfineonlong-termexperienceinRFcomponentsandcombinesease-of-usetostablevolumesproduction,atbenchm | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHz F=3dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:5 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductorForlownoise,highgainamplifiersupto2GHz.) Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainamplifiersupto2GHz. ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6.5GHz,F=3dBat2GHz ?ESAQualificationpending | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHz F=3dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:5 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHz F=3dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:5 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6,5GHz F=3dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:5 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
超高頻/特高頻 （UHF）_寬頻帶放大 （A）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
20V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
7.2GHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BFG135,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-99
- vtest：
20
- htest：
7200000000
- atest：
0.1
- wtest：
0
詳細參數(shù)
- 型號：
BFG196
- 制造商：
INFINEON
- 制造商全稱：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
NPN Silicon RF Transistor
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
24+ |
SOT-223 |
163000 |
一級代理保證進口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
PHILIPS/飛利浦 |
23+ |
1688 |
房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633 |
詢價 | |||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng) |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT-223 |
6204 |
新進庫存/原裝 |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT-223 |
3600 |
絕對原裝!現(xiàn)貨熱賣! |
詢價 | ||
NXP |
12+ |
SOT223 |
15000 |
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。 |
詢價 | ||
INFINEON |
06+ |
原廠原裝 |
26054 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT-223 |
5030 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
SOT23 |
20000 |
詢價 |
