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BFG540/XR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG540/XR
廠商型號(hào)

BFG540/XR

參數(shù)屬性

BFG540/XR 封裝/外殼為SOT-143R;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R

功能描述

NPN 9 GHz wideband transistors

絲印標(biāo)識(shí)

tMR

封裝外殼

SOT-143R

文件大小

159.22 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-7 22:50:00

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BFG540/XR規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143B plastic package.

FEATURES

? High power gain

? Low noise figure

? High transition frequency

? Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

RF front end applications in the GHz range, such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), radar detectors, pagers and satellite TV tuners (SATV).

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFG540/XR,215

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

  • 功率 - 最大值:

    400mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 40mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    120mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-143R

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-143R

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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