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RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
PowerLDMOStransistor Generaldescription A1200WLDMOSpowertransistorforbroadcastapplicationsandindustrialapplications intheHFto110MHzband. Featuresandbenefits ?Typicalpulsedperformanceatfrequencyof108MHz,asupplyvoltageof50Vandan IDqof40mA,atpof100μswithδof20: ?Outp | AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆 | Ampleon | ||
PowerLDMOStransistor | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
PowerLDMOStransistor Generaldescription A1400WextremelyruggedLDMOSpowertransistorforbroadcastandindustrial applicationsintheHFto128MHzband. Featuresandbenefits ?Typicalpulsedperformanceatfrequencyof108MHz,asupplyvoltageof50Vandan IDqof40mA,atpof100?swith?of20: ? | AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆 | Ampleon | ||
RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
PowerLDMOStransistor | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
PowerLDMOStransistor Generaldescription A1400WextremelyruggedLDMOSpowertransistorforbroadcastandindustrial applicationsintheHFto128MHzband. Featuresandbenefits ?Typicalpulsedperformanceatfrequencyof108MHz,asupplyvoltageof50Vandan IDqof40mA,atpof100?swith?of20: ? | AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆 | Ampleon | ||
VeryFastSiliconMesaRectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）
- 封裝形式：
特殊封裝
- 極限工作電壓：
160V
- 最大電流允許值：
0.05A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
4
- 可代換的型號(hào)：
3DG180K,
- 最大耗散功率：
0.6W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
D-126
- vtest：
160
- htest：
999900
- atest：
0.05
- wtest：
0.6
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BFP178
- 功能描述：
BFP178 - Tranzystor krzemowy 秗edniej mocy. wielkiej cz阺totliwo禼i
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT/ST/PH |
24+ |
CAN3 |
21322 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫存! |
詢價(jià) | ||
進(jìn)口原裝 |
23+ |
CAN |
1560 |
優(yōu)勢(shì)庫存 |
詢價(jià) | ||
SIEMENS |
24+/25+ |
2600 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
SIEMENS |
24+ |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購 |
詢價(jià) | |||
SIEMENS/西門子 |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | |||
PHI |
24+ |
SOT-143 |
18000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
6000 |
面議 |
19 |
SOT143 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
17PB |
SOT343 |
6000 |
現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
1922+ |
SOT343 |
9600 |
原裝公司現(xiàn)貨假一罰十特價(jià)歡迎來電咨詢 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SOT343 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |
