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BFP840FESD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
![BFP840FESD](https://img.114ic.com/dgk/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/SOT-343%20PKG.jpg)
廠商型號 |
BFP840FESD |
參數(shù)屬性 | BFP840FESD 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP |
功能描述 | Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
封裝外殼 | 4-SMD,扁平引線 |
文件大小 |
1.48023 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
28 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-13 0:45:00 |
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BFP840FESD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFP840FESD晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BFP840FESDH6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
2.6V
- 頻率 - 躍遷:
85GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
0.75dB @ 5.5GHz
- 增益:
35dB
- 功率 - 最大值:
75mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
150 @ 10mA,1.8V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
35mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
4-SMD,扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TSFP-4-1
- 描述:
RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
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Infineon(英飛凌) |
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TSFP-4 |
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Infineon |
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射頻(RF)雙極晶體管 |
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射頻專家,進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 |
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INFINEON |
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INFINEON |
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INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
SOT343-4 |
17845 |
原裝進(jìn)口假一罰十 |
詢價 |